电流和电压是成正比吗
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三星取得带隙基准电压生成电路专利,基于电流差输出基准电压三星电子株式会社取得一项名为“带隙基准电压生成电路“授权公告号CN112835409B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示,一种带隙基准电压生成电路,包括:第一电流生成器,所述第一电流生成器生成第一绝对温度互补(CTAT)电流和第一绝对温度正比(PTAT)电流;第二电流生成器,所说完了。
国网江西省电力申请一种宽频电流测量方法及系统专利,解决TMR电流...本发明公开一种宽频电流测量方法及系统,包括:获取t时刻电磁式电流互感器输出和TMR电流传感器输出的正比于被测电流信号的模拟电压信号,进行低通滤波,获取t时刻电磁式电流互感器及TMR电流传感器输出的低频电压信号;在采样时钟的触发下,对低频电压信号进行模数转换,获取对应等我继续说。
MOS管带载能力揭秘,原来与这些因素有关!漏源电流和内阻是判定MOS管带载能力的重要参数。根据公式P=I²R,漏源电流越大且内阻越小,则MOS管的带载能力越强。当考虑电阻分压原理时,串联电路中的分压与阻值成正比,即电阻值越大分得的电压越多。通过并联使用MOS管可以有效减小总内阻,从而提升其带载能力。漏源电还有呢?
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